本发明涉及一种高使用温度、高稳定无铅正温度系数电阻材料，属于无铅半导体材料领域。该材料的组成通式为：（Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］）↓［ｘ１］（Ｂａ↓［１－ｘ１－ｘ２］Ｌｎ↓［ｘ２］）Ｔｉ↓［１－ｙ］Ｍ↓［ｙ］Ｏ↓［３］＋ｚｍｏｌ％Ｎ。其中０＜ｘ１＜０．５；０＜ｘ２＜０．１；０＜ｙ＜０．１；０≤ｚ≤１；Ｌｎ为Ｓｒ、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ中的一种或者多种；Ｍ为Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ的一种或者多种；Ｎ为ＭｎＯ↓［２］、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、ＳｉＯ↓［２］、ＴｉＯ↓［２］的一种或者多种。本发明的高使用温度、无铅ＰＴＣＲ材料使用温度高于１３０℃，电阻突跳比（最大电阻与最小电阻比）：１００－１０００００，常温电阻率小于８００Ω．ｃｍ，在最高电阻的温度与该最高温度以上５０℃的温度区间内电阻变化率小于１５％，瓷体总体铅含量小于５０ｐｐｍ。可用于制成各类温度传感器、定温发热体、限流器、延时器等，广泛应用于电子通讯、航空航天、汽车工业、家用电器等领域。