本发明公开了一种柔性薄膜电极及其制备方法，属于柔性电极技术领域。本发明首先在预处理后的SiO2+Si基底上进行Cu薄膜电极的溅射沉积；然后将Cu薄膜电极向柔性基底上的转印，得到柔性薄膜电极。通过本发明可以高效、简易地在PET、PI柔性基底上制备出Cu薄膜电极。本发明利用应力诱导微剥离，通过调节溅射基底温度和薄膜厚度弱化了Cu薄膜电极在SiO2+Si基底表面的结合力，并调控了Cu薄膜电极表面的微纳结构，优化了Cu薄膜电极电阻率。通过本发明制备的PET、PI基柔性薄膜电极的电阻率低至3.2×10‑8Ωm。