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专利名称一种立体封装MRAM存储器
申请日2019-02-25
申请号/专利号CN201920230600.5
专利权人珠海欧比特宇航科技股份有限公司
申请人珠海欧比特宇航科技股份有限公司
发明人/设计人颜军;汤凡;王烈洋;占连样
公告日2019-10-08
公告号CN209471949U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

本实用新型公开了一种立体封装MRAM存储器,涉及存储设备领域,包括从下至上堆叠设置的一个底板层和多个芯片层;每一芯片层分别包括一个MRAM芯片以及铜带,所述铜带为扁平带状,设置在相应芯片层内MRAM芯片的上表面一侧;所述铜带将所属芯片层的MRAM芯片的引脚与所述底板层上对外连接的引脚电气连接,或者将所属芯片层的MRAM芯片的多个引脚电气连接所述底板层设有用于对外连接的引脚。用较薄的铜带来代替传统的厚度较大的叠层PCB板,能够有效的降低存储器的厚度,另外使用铜带,其阻抗更小,信号质量更高;高度降低能够使存储器具有良好的抗冲击性能。适合应于在空间条件受限下的各种使用领域,如航空、航天领域。
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