本发明一种高密度磁性存储器件，在一条厚度为0～20nm的重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜上制造多个磁隧道结，每个磁隧道结代表一个存储位元。磁隧道结从下到上由厚度为0～3nm的第一铁磁金属，厚度为0～2nm的第一氧化物，厚度为0～3nm的第二铁磁金属，厚度为0～20nm的第一合成反铁磁层和厚度为10～200nm的第X顶端电极构成，其中X的值为磁隧道结代表的位元编号；重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜的两端分别镀有第一底端电极和第二底端电极。本发明可应用于高密度存储器和逻辑电路；采用单向电流写入数据，提高电路集成度，降低写入功耗和写入电压，减小读取干扰，有利于减少工艺复杂度和制造成本。