本实用新型公开了一种容量为1M×32bit的非气密三维封装SRAM存储器，结构上利用八个芯片作为三维结构堆叠层，将芯片层作为层间互连铜箔叠放层，将芯片与铜箔在高度方向交替堆叠，形成三维立体结构的设计，将八片SRAM芯片的数据线分为两组引出，实现32位数据位宽的扩充；将八片SRAM芯片的选通线分别单独通过引出线引出，通过选通线实现不同芯片与数据位的选择控制；八片SRAM芯片的地址线、电源线、地线、写控制线、字节选通线和输出使能线分别连接后引出，实现了在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了8倍容量和2倍位宽的扩展，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域。