本实用新型公开了一种容量为1M×8bit的非气密三维封装EEPROM存储器，包括8个相互堆叠在一起的EEPROM芯片，最下层的EEPROM芯片下端设有垫板，垫板下端固定有引线框架，引线框架上设有外引线，每个EEPROM芯片上设有引出EEPROM芯片引脚的铜箔引脚，结构上利用八个芯片作为三维结构堆叠层，将芯片层作为层间互连铜箔叠放层，形成堆叠体，利用三维立体结构的设计，八片EEPROM芯片的片选线分别单独通过引出线引出；八片EEPROM芯片的地址线连接，八片EEPROM芯片的写使能、读使能、空闲/忙分别连接后引出，在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了8倍容量的扩展，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域。