本实用新型公开了一种容量为512k×32bit的非气密三维封装SRAM存储器，利用四个SRAM芯片作为三维结构堆叠层，将SRAM芯片层作为层间互连铜箔叠放层，将SRAM芯片与铜箔在高度方向交替堆叠，形成堆叠体，堆叠体经过灌封、切割、外表面镀金、外表面金属三维立体刻线工艺将四层SRAM芯片、三层层间互连铜箔、一个引线框架层的引脚接线连接成一个SRAM存储器，三维立体结构的设计，实现了在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了4倍容量和2倍位宽的扩展；显著减少静态存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化；尤其适合应用于有高密度集成、小型化需求的航空、航天领域的计算机内存系统中。