本发明属于高储能石墨烯基超级电容器的电极材料制备领域。由于石墨烯大的比表面积和高的电子迁移率等优点，使石墨烯成为一种理想的电容材料。但由于石墨烯片层易于堆叠团聚，溶剂中分散性不好和含氧官能团还原不彻底等原因，大大减小了石墨烯的实际比电容。本发明首次用一定质量比的液晶氧化石墨烯/碳酸铵/氯化钠/CVD石墨烯的均匀分散液直接滴入尺寸可控的聚四氟乙烯模具内，刮平干燥成膜，随后在一定浓度的氨水和聚酰亚胺溶液中水热还原，随后进行低温加热的方法制备高比电容的氮掺杂石墨烯薄膜电极材料。此发明着重于大规模和低成本制备高储能石墨烯，提高石墨烯基超级电容器的比电容和能量密度，进而促进石墨烯基超级电容器的商业化应用。