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专利名称一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法
申请日2017-05-08
申请号/专利号CN201710316554.6
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人管迎春;方志浩
公告日2019-01-15
公告号CN107127457B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

一种皮秒激光减薄切割多晶硅片的一体化加工方法,包括如下步骤:1、取原始多晶硅片裁剪为20mm×20mm的小块,利用粗糙度仪测得原始表面粗糙度小于0.4μm,利用螺旋测微仪测得硅片的原始厚度;2、利用脉冲宽度600ps的皮秒光纤激光器设定激光扫描区域15mm×15mm对表面进行减薄加工,激光的波长193‑1064nm,重复频率100‑1000KHz,输出功率1‑20W,激光扫描速度100‑500mm/s,扫描次数5‑15次;3、绘制激光切割轮廓线并调整激光参数进行硅片切割;4、利用仪器测量硅片表面的粗糙度、厚度及形貌,利用皮安计测试不同厚度硅片的I‑V曲线。
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