本发明实施例公开了一种通过蓝宝石衬底制备多晶SiC薄膜的方法，涉及半导体薄膜材料技术领域，本发明包括：将清洗好的蓝宝石衬底(1)与SiC靶材置于真空反应腔体中，并将所述真空反应腔体抽至高真空状态，并对蓝宝石衬底(1)进行升温；往所述真空反应腔体中通入氩气和氧气，并维持气压；执行磁控溅射过程，得到过渡层(2)和过渡层(3)，其中，所述溅射过程包括先预溅射和正式溅射；关闭氧通道，只通入氩气并维持气压，再次执行磁控溅射过程得到SiC薄膜(4)，待所述真空反应腔体腔体冷却至室温后取出样品；将所取出的样品置于快速退火炉中进行热退火。本发明适用于在蓝宝石衬底上制备多晶SiC薄膜。