本发明公开一种p‑GaN/i‑GaN/n‑BN中子探测器，该中子探测器由Al2O3衬底层、n‑BN层、i‑GaN层、p‑GaN层组成。其制备方法如下：在一定厚度的Al2O3衬底上，利用金属有机物化学气相沉积技术先生长n‑BN，而后生长未掺杂的i‑GaN，最后生长p‑GaN，再用感应耦合等离子体刻蚀出n‑BN，最后用电子束蒸发在n‑BN和p‑GaN层分别蒸镀欧姆接触金属电极，完成中子探测器的制作。本发明制备工艺简单、无需单独制备中子转换层，能量分辨率高、探测效率高且结构简单，在航空航天探索、核能利用与开发、放射性同位素的产生应用以及一些特殊领域有重要的应用价值。