本发明一种低功耗磁性多阻态存储单元，从下到上由厚度为0～20nm的反铁磁条状薄膜，厚度为0～3nm的第一铁磁金属，厚度为0～2nm的第一氧化物，厚度为0～3nm的第二铁磁金属，厚度为0～20nm的第一合成反铁磁层和厚度为10～200nm第一电极构成；反铁磁条状薄膜两端分别镀有第二电极和第三电极；位于反铁磁条状薄膜上方的五层物质构成磁性隧道结。本发明可实现多阻态存储，其应用不再仅限于单比特存储和逻辑运算领域，可推广至类脑计算等领域；采用单向电流写入数据，简化存储器和逻辑电路设计，提高电路集成度，降低存储单元的功耗，有利于减少工艺的复杂度和制造成本；采用不同的支路写入数据，便于对不同数据的写入操作进行独立的优化和设计。