本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法，属于光电技术领域。其方法步骤如下：(1)对溶液进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于H2O2、HF、AgNO3、Cu(NO3)2和超纯水的混合溶液中腐蚀以制备黑硅纳米减反结构；(3)采用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理，形成均匀的倒金字塔结构。该发明采用Ag和Cu双金属辅助于多晶硅表面进行化学腐蚀，相对于现有的Ag辅助化学腐蚀，该发明使AgNO3消耗量降低几十倍以上，且工艺简单，降低了黑硅制备成本，可实现大面积黑硅的批量制备，并利用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。