本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法。其方法步骤如下：(1)对硅片进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于HF/HNO3/H2O混合溶液中进行制绒处理(3)将制绒好的硅片置于H2O2/HF/AgNO3/Cu(NO3)2和超纯水的混合溶液中腐蚀以制备纳米结构；(4)采用纳米重构溶液对纳米结构进行扩大处理，进行各向异性腐蚀从而去除多晶硅表面切割痕。本发明是基于MACE(金属辅助化学腐蚀法)制备黑硅减反结构的基础上，利用腐蚀过程中的各向异性去除金刚线切割多晶硅片表面切割痕，同时也大大降低的硅片表面的反射率，对未来低成本、高转换效率的金刚线切割多晶硅太阳电池的制备具有重要的应用潜能。