本发明公开了一种(101)晶面择优生长的SnS2纳米片负极材料的制备方法。本研究以无机锡盐为锡源，以有机硫化物为硫源，以聚乙二醇为添加剂，通过简单的溶剂热法一步制备出以(101)晶面择优生长的SnS2纳米片。这些以(101)晶面为裸露表面的纳米片，在充放电过程中可以提供充足的电化学活性位点，缩短锂离子的扩散路径，加快电化学反应动力学，从而使得电极的倍率性能优异。本发明的优点在于(101)晶面择优生长的SnS2纳米片的制备工艺简单易行，并可以应用到其他层状物质的择优生长。此方法制备的(101)晶面择优生长的SnS2纳米片具有优异的倍率性能，是一种潜在的高性能锂离子电池负极材料，有望广泛应用于各种便携式电子设备、电动汽车以及航空航天等领域。