本发明公开了一种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法，利用超薄TiW合金薄膜层作为扩散阻挡层改善TCO薄膜(如掺铟氧化锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)或掺氟氧化锡(FTO)等三种薄膜)与p‑Si等衬底的接触性能；并且通过TiW合金薄膜层的引入作为金属层，与TCO薄膜形成TCO/TiW双层薄膜，使薄膜的电学性能得到明显改善；TCO/TiW透明导电薄膜在显示器、太阳电池等半导体器件中具有巨大应用前景。一种TCO/TiW透明导电薄膜的制备方法，包括：在衬底的表面上沉积TiW合金，形成TiW合金薄膜层/衬底结构；再在所述TiW合金薄膜层的表面上沉积TCO透明导电氧化物，形成TCO薄膜层/TiW合金薄膜层/衬底结构。