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专利名称采用磁控溅射技术高通量制备Co-Al-W基合金薄膜的方法
申请日2018-11-14
申请号/专利号CN201811350384.4
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人沙江波;管琪;李艳;周春根
公告日2019-11-08
公告号CN109306461B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种采用磁控溅射技术高通量制备Co‑Al‑W基合金薄膜的方法,包括如下步骤:(1)以Co‑Al‑W基多元合金元素为合成原料,利用真空非自耗电弧熔炼技术,制备靶材A、靶材B和靶材C,靶材A包括特征元素X,靶材B包括特征元素Y,靶材C包括除特征元素X和特征元素Y之外的Co‑Al‑W基多元合金元素;(2)选取基体并将其安装在磁控溅射设备的夹具上,将步骤(1)制备的靶材A、靶材B和靶材C分别放置在磁控溅射设备的三个靶位上,利用磁控溅射技术,制备Co‑Al‑W基合金薄膜。本方法作为Co‑Al‑W基合金材料的高通量制备技术操作简单,且得到的薄膜材料便于高通量表征工作的开展。
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