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专利名称一种宽频带近场磁场探头的谐振抑制结构及其构建方法
申请日2016-04-08
申请号/专利号CN201610214915.1
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人阎照文;王健伟;张伟;苏东林
公告日2019-03-08
公告号CN105720336B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

一种宽频带近场磁场探头的谐振抑制结构及其构建方法,谐振抑制结构是在CB‑CPW中心导体两侧对称放置两排接地过孔,每一排的接地过孔等间距分布,每一个接地过孔连接磁场探头的顶层屏蔽平面、磁场探头中间1层和磁场探头底层屏蔽平面;每一个接地过孔都不能位于磁场探头底端长方形缝隙;所有接地过孔将中心导体围在中间,在中心导体两侧形成栅栏。所述构建方法:1、在CST微波工作室中构建磁场探头与50Ω微带线构成的仿真模型,2、CST微波工作室仿真设置;3、在磁场探头底端中心导体两侧放置接地过孔;4、构建的微带线一端接50Ω匹配负载,另一端定义为port1,磁场探头接SMA的一端定义为port2,仿真S21参数。
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