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专利名称改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构
申请日2019-12-13
申请号/专利号CN201911284149.6
专利权人上海创远仪器技术股份有限公司
申请人上海创远仪器技术股份有限公司
发明人/设计人陈爽;王小磊
公告日2020-02-28
公告号CN110855376A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构,包括预处理模块,用于进行信号衰减和预处理;混频处理模块,所述的混频处理模块的输入端与所述的预处理模块的输出端相连接,用于对射频信号进行多级变频;信号转换测量模块,所述的信号转换测量模块的输入端与所述的混频处理模块的输出端相连接,用于将信号转换成数字信号,并完成后续的信号测量。采用了本发明的改进宽频段频谱相位噪声性能的电路结构,通过在现有电路结构基础上增加少量的元件,改善了现有技术的相位噪声能力,本发明的电路改动较小,通过少数硬件改动实现更高的性能;本发明在宽带测量模式下,不影响测量结果。
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