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专利名称采用高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法
申请日2018-10-25
申请号/专利号CN201811248395.1
专利权人北京航空航天大学
申请人北京航空航天大学
发明人/设计人周春根;沙江波;姜威
公告日2020-01-10
公告号CN109207952B
法律状态有效
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种采用高通量技术制备梯度Nb‑Si基合金薄膜的方法,包括如下步骤:(1)制备Nb‑16Si‑6Cr‑24Ti‑6Al基体;(2)制备Cr靶材;(3)制备xNb‑ySi‑zTi‑kAl合金靶材,其中,x=55~65,y=14~19,z=18~25,k=1~4,数值均为原子百分比;(4)将步骤(1)中的Nb‑16Si‑6Cr‑24Ti‑6Al基体安装在磁控溅射设备的夹具上,将步骤(2)中的Cr靶材放置在普通直流靶上,将步骤(3)中的xNb‑ySi‑zTi‑kAl合金靶材放置在射频靶上,利用磁控溅射技术,制备梯度Nb‑Si基合金薄膜。本方法便于大批量的对不同元素比例的Nb‑Si基合金进行性能测试,快速的选取出最优的元素成分比例,提高工作效率。
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