本发明公开了一种γ‑TiAl合金表面的NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层及其制备方法，该涂层包括自下而上依次设在基体上的NiCrAlSi沉积层、等离子渗氧陶瓷膜、CeO2掺杂YSZ隔热层。其制备方法为：对γ‑TiAl合金基体表面进行预处理；利用等离子刻蚀技术在基体表面形成峰形阵列微结构；利用多弧等离子镀技术在基体上进行NiCrAlSi沉积层；采用等离子渗氧的方法在表面形成一层致密的等离子渗氧陶瓷薄膜；采用多弧等离子镀技术在上述所得涂层上及进行CeO2掺杂YSZ沉积。本发明提高了γ‑TiAl合金与NiCrAlSi/CeO2掺杂YSZ涂层的结合强度。