本发明公开了一种碳化硅表面制备Si3N4晶须增强β‑Sialon陶瓷涂层的方法，包括以下制备步骤：1、基体处理，2、胶的制备，3、陶瓷浆料的制备，4、料浆喷涂，5、试样干燥，6、试样烧结；所制备的Si3N4晶须增强β‑Sialon陶瓷涂层厚度均匀可控，结构致密，无微观裂纹。该方法所制备的杂质相少，Si3N4晶须表面参与化学反应与β‑Sialon陶瓷基体紧密结合；该方法具有简单、灵活、高效且易于工业化应用的特点。