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专利名称一种防止AD采样通道漏电的设计方法
申请日2019-11-19
申请号/专利号CN201911132782.3
专利权人无锡中微爱芯电子有限公司
申请人无锡中微爱芯电子有限公司
发明人/设计人唐映强;黄坚;俞小平;胡依婷
公告日2020-02-11
公告号CN110784221A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开的属于AD型集成电路AD采样通道的设计技术领域,具体为一种防止AD采样通道漏电的设计方法,该防止AD采样通道漏电的设计由PMOS1、PMOS2、PMOS3和NMOS1、NMOS2、NMOS3组成,本发明传输门结构,由PMOS1、PMOS2、PMOS3和NMOS1、NMOS2、NMOS3组成,通过PMOS3和NMOS3可以阻止漏电流从PAD流入OUT端,在PAD输入信号高于电源电压VDD或者PAD输入信号小于0V时,不会引入漏电流到AD模块内部,从而解决了该情况下AD转换结果不准的问题。
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