本发明公开了一种改善驱动性能的SiCMOSFET主动驱动电路，本发明引入了漏极电流ID和漏源极电压Vds的瞬时变化状态对SiCMOSFET的开关过程状态进行判断，通过逻辑判断得到作为中间量的开通过程检测判断信号和关断过程检测判断信号，并最终对驱动电流注入控制电路和驱动电流分流电路进行控制，在不同的阶段注入驱动电流Ig2或分流驱动电流Ig3，配合主驱动电路输出的驱动电流Ig1得到多种栅极的驱动电流IG的控制效果，从而使得本发明的主动驱动电路能够在抑制电压电流过冲的同时，保持开关损耗不增加，并使得SiCMOSFET的开关速度基本不受影响。