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专利名称一种高压MOSFET开关驱动及保护电路
申请日2019-11-14
申请号/专利号CN201911111580.0
专利权人南京大学;南京固德芯科技有限公司
申请人南京大学;南京固德芯科技有限公司
发明人/设计人黎遥;顾晓蓉
公告日2019-12-31
公告号CN110635669A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种高压MOSFET开关驱动及保护电路,包括浮地电压源、内部低压源、电荷泵、逻辑控制、过流检测、过温检测以及栅极驱动部分;输入高压电源通过稳压或降压电路获得浮地电源和内部低压源;浮地电源驱动电荷泵电路获得高于输入电源的MOSFET栅极驱动电压;采用栅极逻辑运算单元连接栅极驱动,该栅极逻辑运算单元中输入端为内部低压源与外部TTL输入信号:内部低电压源用于比较外部TTL输入信号以及过流、过温的逻辑控制信号;当外部TTL输入信号为高电平时,栅极逻辑运算单元关断MOSFET,卸载负载电压源。当外部TTL输入信号为低电平时,开启MOSFET,高电压源加载至负载。实现的保护功能:当过流或过温工作时,关断MOSFET,保护驱动电路及负载。
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