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专利名称一种基于双层电极高机电耦合系数的声表面波器件及其制备方法
申请日2019-11-07
申请号/专利号CN201911081522.8
专利权人清华大学
申请人清华大学
发明人/设计人潘峰;苏荣宣;曾飞;沈君尧;傅肃磊
公告日2020-01-10
公告号CN110670027A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种基于双层电极高机电耦合系数的声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件的结构如下:基片上依次为铜电极、压电薄膜和铝电极;铜电极的信号端与铝电极的接地端对应;压电薄膜为氧化锌薄膜。由于所采用的西沙瓦波模式是薄膜厚度振动和横向振动耦合而成,本发明的特点在于通过双层电极激励纵向电场(薄膜厚度方向)和横向电场(声表面波传播方向),通过改变电场和压电薄膜的耦合方式从而提高声表面波器件的机电耦合系数。
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