本发明涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及激光雷达。其中，氮化镓HEMT管集成电路包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。通过针对主管芯第一氮化镓HEMT管配置反向续流单元，使氮化镓HEMT管集成电路具备良好的反向续流能力，配置泄放单元为第一氮化镓HEMT泄放电流，提高雪崩耐量，从而提高主管芯第一氮化镓HEMT管的容限范围，能够在更多场景下取代MOSFET，获得比MOSFET更优的性能。