本发明公开了一种二维耦合的射频压电谐振器及其制备方法。所述射频压电谐振器包括用于固定叉指电极的压电层，压电层固定于硅衬底上；叉指电极的上电极、下电极分别固定于压电层的上下两侧，横截面上位于连续压电层上的叉指电极为一个谐振单元，压电层上设有至少一个谐振单元。制备方法为：在硅衬底上生长出牺牲层，或直接将硅衬底的上层作为牺牲层；将下电极镀在牺牲层表面；在下电极表面生长压电层；在压电层上表面对准下电极镀上电极；刻蚀出谐振单元；将下电极底部的牺牲层刻蚀，使压电层的下电极处与其下方的硅衬底之间形成空腔。本发明的机电耦合系数提高至7％‑11％。