本发明属于集成电路领域，尤其涉及抗辐照集成电路技术研究领域。随着空间技术以及核工程技术的快速发展，越来越多的CMOS运算放大电路不可避免地应用于辐射环境中并受到各种辐射效应的影响，为了保证CMOS运放的可靠性和性能，抗辐照加固技术的研究始终面临着严峻的挑战。本发明以一种抗总剂量CMOS器件为基础，设计出一种抗总剂量CMOS运算放大电路，在运放的每条支路接地NMOS晶体管使用提出的抗总剂量器件，保证每条支路的总漏电流最小。对运放的尾电流源使用抗总剂量NMOS器件，保证运放的带宽和增益在总剂量辐照前后变化最小。这样得到的抗总剂量CMOS运算放大电路抗辐照能力相比传统的非抗总剂量CMOS运放明显提高。