本实用新型公开了一种针对敏感节点进行加固的抗辐射半加器电路，该抗辐射半加器电路包括14个PMOS管PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、PM8、PM9、PM10、PM11、PM12、PM13、PM14和14个NMOS管NM1、NM2、NM3、NM4、NM5、NM6、NM7、NM8、NM9、NM10、NM11、NM12、NM13、NM14；所述PM1、PM2、NM1、NM2和PM6、PM7、NM6、NM7分别构成一个与非门，PM3、PM4、PM5、NM3、NM4、NM5和PM8、PM9、PM10、NM8、NM9、NM10分别构成一个或与非门，PM11、PM12、NM11、NM12和PM13、PM14、NM13、NM14分别构成一个C单元电路。本实用新型的技术方案针对敏感节点进行加固，进一步减少了面积，实现了半加器的功能，同时具有较强的抗辐射能力。