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专利名称可集成式硅振荡器结构及其制备方法
申请日2019-04-29
申请号/专利号CN201910352638.4
专利权人罕王微电子(辽宁)有限公司
申请人罕王微电子(辽宁)有限公司
发明人/设计人黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;关健
公告日2019-08-09
公告号CN110113006A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

可集成式硅振荡器结构,其特征在于:所述的可集成式硅振荡器结构,有三种谐振器的结构,MEMS芯片与CMOS集成电路通过键合工艺集成在一起,在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器,单独的MEMS硅谐振器,集成电路芯片也是单独的。一种可集成式硅振荡器结构的制备方法,其特征在于:在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器,单独的MEMS硅谐振器,集成电路芯片也是单独的;键合工艺可以是共晶键合、硅‑硅直接键合、玻璃浆料键合等工艺的一种;在CMOS集成电路上直接制备硅振荡器;单独MEMS硅振荡器。本发明的优点:防震效果是传统石英晶振产品的25倍,具有不受振动影响、不易碎的特点。还具有可集成度高、可编程、尺寸小、功耗小等优点。
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