本发明公开了基于CMOS的E‑Band微波F类功率放大器，包括依次连接的前置放大电路、功率放大电路和输出匹配电路；功率放大电路包括MOS管M3和MOS管M4，其栅极分别与变压器T2次级线圈两端连接，源级接地；输出匹配电路包括变压器T3、电容C1和电容C2，变压器T3的初级线圈两端连接到MOS管M3和MOS管M4的漏极，还并联有电容C1；变压器T3的次级线圈两端连接到信号输出端，还并联有电容C2；变压器T3的初级线圈的中点与电源端Vcc连接，变压器T2的次级线圈的中点与偏置端Vg连接；在变压器T2与功率放大电路之间还连接有二次谐波滤波电路。本发明通过集成变压器实现功率合成，通过变压器和电容形成两个谐振腔实现了F类输出，结构紧凑，输出功率及效率高。