本发明公开了一种仅需要正电压偏置的SOICMOS射频开关电路结构，包括单刀X掷开关和多个开关支路；其X可以取不同的正整数值；所述开关支路主要由N个串联的层叠晶体管链和N个并联的层叠晶体管链组成；每个层叠晶体管链主要由N个开关晶体管和两个辅助晶体管组成，其N可以取不同的正整数值；每个开关晶体管的漏端和源端分别并联连接一个电阻；每个辅助晶体管的漏端和源端分别并联连接一个电容；每个开关晶体管的栅极分别串联连接电阻和每个辅助晶体管的栅极分别串联连接电阻后再连接到公共的控制信号VG处；末端的开关晶体管的源端连接电阻RS后再连接到公共的控制信号VS处；本发明不需要负电压控制信号，仅采用正电压对射频开关进行偏置。