本发明提供了一种P型VDMOS的high‑side高速驱动电路，驱动电路芯片内部电路设计简单，不仅面积小而且还有很小的待机电流，驱动管的开启时具有很快的上升时间和较好的压摆率，根据不同的电路需求灵活VDMOS管的栅极电压，得到不同的输出电压。适用于各种各样的P型VDMOS器件，起到减小面积，降低成本的效果。本发明的VDMOS管的栅极电压在5V‑12V之间根据电路需求进行调整；在电路设计时对电流进行有效地温度补偿，不需要特殊的高压工艺跟额外的Mask，并且使用过程安全可靠，不仅节约成本，还大大减少了研发周期。