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专利名称一种高频功率MOSFET驱动电路
申请日2019-04-19
申请号/专利号CN201910316850.5
专利权人北京工业大学
申请人北京工业大学
发明人/设计人谢雪松;胡冬冬;张小玲;亓帅兵
公告日2019-08-09
公告号CN110113035A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种高频功率MOSFET驱动电路属于电力电子领域,适用于高频率下开关电源功率MOSFET驱动,适合于丁类放大器结构。驱动电路,包括驱动信号产生模块与驱动电路模块;驱动信号产生模块包括信号发生模块,MOSFET漏电流保护模块;驱动电路模块包括推挽式驱动电路结构与变压器结构;由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号,送至驱动电路模块,利用推挽电路结构来输出电流,通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求;将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构,通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值,与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振,使输出的驱动电流与驱动电压存在相位差,实现软开关驱动。
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