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专利名称一种射频偏置电路封装结构
申请日2019-04-18
申请号/专利号CN201920531730.2
专利权人苏州能讯高能半导体有限公司
申请人苏州能讯高能半导体有限公司
发明人/设计人阎述昱;其他发明人请求不公开姓名
公告日2020-01-07
公告号CN209913789U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类

摘要

一种射频偏置电路封装结构,射频偏置电路封装结构包括封装部件,封装部件内封装有功率放大器;射频偏置电路,射频偏置电路包括射频扼流部件,功率放大器电连接输出负载的端口经由射频扼流部件电连接至直流偏置电压源;封装部件覆盖射频扼流部件。通过本实用新型的技术方案,在实现了射频扼流部件与功率放大器连接关系,避免了射频信号影响直流偏置电压源特性的同时,避免了射频偏置电路在印刷电路板上设置较长的偏置线导致的功率放大器模块占用大面积的印刷电路板的问题,有利于减小功率放大器模块的尺寸,提高印刷电路板的集成度。
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