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专利名称一种CMOS电容中和有源混频器
申请日2019-04-16
申请号/专利号CN201910304159.5
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人郭本青;王雪冰;陈鸿鹏;龚静
公告日2019-10-15
公告号CN110336538A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明提供一种CMOS电容中和有源混频器,属于混频器领域。本发明有源混频器包括跨导输入级、开关混频级和输出负载级,接收的射频电压信号经过本混频器转变为中频电压信号输出。本发明改进地在跨导输入级使用两个电容交叉耦合电路单元,产生低的噪声指数,并且两个电容交叉耦合电路单元之间通过NMOS/PMOS堆叠式结构进行连接,有效地节省了电路的功耗;通过设计无源匹配网络有效地增强了带宽;电容中和技术用于补偿跨导输入级的源极‑漏极寄生效应和增强跨导级的环路增益,从而改善混频器的隔离度和线性度。
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