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专利名称TDICMOS成像单元的设计方法
申请日2019-04-12
申请号/专利号CN201910293610.8
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
发明人/设计人余达;刘金国;徐东;苗健宇;杨亮;胡庆龙;王玉龙
公告日2019-07-19
公告号CN110034748A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

TDICMOS成像单元的设计方法,涉及一种TDICMOS成像单元的设计方法,解决现有TDICMOS成像单元设计复杂,存在稳定性差的问题,包括控制器单元和探测器单元;所述控制器单元产生探测器单元所需的控制信号,并接收探测器单元输出的数字图像数据;所述探测器单元包括TDICMOS探测器、运放器、LDO、带施密特功能的驱动器和带施密特功能的电平转换器;本发明分别针对具有拉灌电流的像素部分供电、数字输入控制信号的传输、电荷转移驱动信号的产生方式、高密度区域过孔的放置方式和多层接地平面的处理进行了设计,最大限度地提高线路板的利用面积,提高控制驱动信号和电源的完整性,同时避免电压击穿和虚焊等风险。
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