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专利名称一种GaN栅驱动电路的系统保护方法
申请日2019-04-03
申请号/专利号CN201910265089.7
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人明鑫;冯旭东;胡黎;张永瑜;王卓;张波
公告日2019-06-28
公告号CN109951178A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种GaN栅驱动电路的系统保护方法,属于电子电路技术领域。GaN栅驱动电路直接驱动GaN功率管,将GaN功率管与Si基驱动器安装在同一个低热阻热传导材料上,通过检测SiMOS管的结温能够准确感测GaN功率管的结温变化,通过采样与GaN功率管串联的SiMOS管的电流能够准确采样GaN功率管的电流,设计针对多条电源轨的多重欠压保护,当GaN栅驱动电路正常工作时SiMOS管开启,当系统出现过温、过流或欠压任一种情况时关断SiMOS管,从而关断GaN功率管实现系统保护;另外,针对高压驱动电路还在过流比较器中设置过流信号、过温信号和欠压信号作为使能信号,实现在过温时同时触发过流保护。
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