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专利名称高压半桥驱动电路
申请日2019-03-29
申请号/专利号CN201910246582.4
专利权人西北工业大学
申请人西北工业大学
发明人/设计人刘雨鑫;张豪;郑怀仓
公告日2019-06-28
公告号CN109951060A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明涉及一种高压半桥驱动电路,包括PMOS高压驱动电路和NMOS高压驱动电路,分别用于驱动PMOS功率管和NMOS功率管;PMOS高压驱动电路包括P死区控制电路、P电平移位电路、P驱动钳位电路、P高边驱动电路和P低边驱动电路;PMOS管P的驱动信号PIN与P死区控制电路连接,P死区控制电路分别连接P电平移位电路和P低边驱动电路;P驱动钳位电路与P低边驱动电路连接,P电平移位电路与P高边驱动电路连接;P高边驱动电路和P低边驱动电路的输出相连为PD,PD连接半桥结构中PMOS功率管栅极,驱动功率管P的开启与关闭;NMOS高压驱动电路与PMOS高压驱动电路相似。本发明能够提供半桥PMOS和NMOS管提供高压的栅源驱动,降低半桥MOS管的导通阻抗。
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