本发明提供了一种在非硅基底上制造压电薄膜谐振器的方法，包括以下步骤：在硅片上沉积铜薄膜；在铜薄膜上涂覆光刻胶并进行光刻，去除待设置压电薄膜谐振器的下方空气间隙区域的光刻胶；进行电镀沉积铜层、去除光刻胶，获得具有台阶的剥离牺牲层；涂覆聚酰亚胺并对其热处理进行亚胺化、在其上方制作压电薄膜谐振器三明治结构；使用氧等离子体对非压电薄膜谐振器覆盖区域的聚酰亚胺层进行刻蚀；将所得器件置于铜腐蚀溶液中，溶解压电薄膜谐振器周围及其下方的铜，使用涂有聚乙烯醇胶水的滚筒贴于压电薄膜谐振器上方，将其从硅片上进行释放并剥离，再将其转移至所需非硅基底上；用热水冲洗滚筒，使滚筒与压电薄膜谐振器脱离，即可完成制作过程。