本实用新型公开了一种大功率P‑MOS管的驱动电路，包括施密特触发器U2、光耦U1、P‑MOS芯片T1、电阻R1、电阻R2、电容C1、电容C2、电容C3，施密特触发器U2的信号输出端与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与光耦U1的信号输入端连接，光耦U1的信号输出端分别与P‑MOS芯片T1的栅极和电阻R1的一端连接，P‑MOS芯片T1的源极与电源连接，漏极与负载连接，电阻R1的另一端与外接电源连接，电容C1、电容C2的一端分别与光耦U1的电源端与外部电源之间的公共连接点连接；通过P‑MOS管T1设置，实现了大功率驱动控制，不受开关速度的限制，采用P‑MOS芯片T1驱动，起到真正意义上的关断，不会出现漏电等隐患，采用光耦U1驱动，对单片机起到隔离和保护作用。