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专利名称适用于GaN高速栅驱动电路的电平位移电路
申请日2019-03-06
申请号/专利号CN201910168442.X
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人明鑫;张宣;张志文;范子威;胡黎;潘溯;秦尧;王卓;张波
公告日2019-06-18
公告号CN109905111A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

适用于GaN高速栅驱动电路的电平位移电路,属于电源管理技术领域。本发明利用电压转电流再转电压的结构进行栅驱动控制信号传输,实现了轨到轨输出能力,能够防止GaN高速栅驱动电路在死区时间内开关节点电压为负而引起的信号延迟甚至丢失的情况;采用动态电流支路进行快速电压瞬变保护,采用抗共模瞬态噪声干扰模块进行防浮动电源轨dv/dt串扰的保护,实现了电平位移电路输入端及中间节点的高CMTI能力;采用限制电流的正反馈锁存模块来锁存电流作输出保持结构,降低了电平位移电路的传输延迟,实现高速信号传输,且提供了低阻通路及正反馈防止电路输出受到浮动电源轨的高dv/dt能力串扰,从而实现了电平位移电路输出端的高CMTI能力,提高了电路的可靠性。
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