本发明公开了一种半桥电路直通保护电路，通过增强型GaN功率晶体管和GaN基二极管实现全GaN集成的基本数字逻辑单元电路，即与非门子电路和或非门子电路的设计，进而通过与非门子电路和或非门子电路实现全GaN集成的半桥电路直通保护电路设计，可避免半桥电路在高侧驱动信号和低侧驱动信号同时为高电平时发生直通现象，同时为全GaN增强型器件的数字集成电路打下了基础。此外，本发明利用全GaN增强型器件，即增强型GaN功率晶体管和GaN基二极管实现锁存器设计，实现在输入信号改变时，输出信号不易因为GaN功率管的导通/关断状态切换而出现毛刺。