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| 专利名称 | 用于高电压RF开关的偏置电路和方法 |
| 申请日 | 2019-02-27 |
| 申请号/专利号 | CN201910147754.2 |
| 专利权人 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 发明人/设计人 | B·施莱西尔;R·鲍德;D·克雷尔;V·索罗姆克 |
| 公告日 | 2019-09-06 |
| 公告号 | CN110212895A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 |
摘要
本公开的实施例涉及用于高电压RF开关的偏置电路和方法。一种RF开关包括：耦合在RF输入与地之间的串联耦合的RF开关单元，每个RF开关单元具有输入；以及具有输出的偏置网络，用于基于RF开关单元的等级编号将RF开关单元输入中的每个RF开关单元输入单独地偏置到不同的偏置电压。
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