本公开的各实施例涉及半导体器件。提供了一种电平移位器，其可以保持操作裕量并增强超过击穿电压防止效果。实施例中的电平移位器包括耦合在成对的第一导电类型交叉耦合晶体管与成对的第二电类型输入晶体管之间的超过击穿电压防止电路。超过击穿电压防止电路包括被串联耦合到彼此的第一导电类型第一晶体管和第二导电类型第二晶体管，以及在较高电势侧上被串联耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一导电类型第三晶体管。