本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和半导体器件。该谐振器包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体由所述衬底的上侧面和所述多层结构的下侧面围成，所述多层结构的下侧面与所述腔体对应部分的中部区域为平面，且中部区域的边缘与所述腔体边缘之间为圆滑过渡的平滑曲面，所述平滑曲面位于所述衬底的上侧面和所述平面之间。上述谐振器通过设置顶壁为平面的腔体，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。