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专利名称一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路
申请日2019-01-15
申请号/专利号CN201910036010.3
专利权人电子科技大学
申请人电子科技大学
发明人/设计人甄少伟;周万礼;章玉飞;胡怀志;路统霄;罗萍;张波
公告日2019-05-17
公告号CN109768777A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

一种用于提高跨阻放大器电源抑制比的增强电路,属于激光三维成像中的模拟信号处理领域。由第四PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第一PMOS管组成负反馈环路①,第一NMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管组成正反馈环路②,第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管组成负反馈环路③,负反馈环路③的增益大于正反馈环路②的增益。本发明通过正反馈环路和负反馈环路的共同作用能够稳定跨阻放大器电源端VDDA电压,从而改善跨阻放大器的电源抑制比,进而解决APD阵列读出电路的串扰问题。
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