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专利名称一种改善晶体振荡器老化漂移率的方法
申请日2019-01-09
申请号/专利号CN201910021322.7
专利权人西安电子科技大学
申请人西安电子科技大学
发明人/设计人李智奇;周渭;吴豪;苗苗;范凡
公告日2019-05-10
公告号CN109743022A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明属于时间频率测量与控制、精密频标技术领域,尤其涉及一种改善晶体振荡器的老化漂移率的方法。本发明通过采集数据、建立晶体谐振器输出频率和运行时间的函数关系、建立压控端电压和频率的函数关系、数据传输和改变晶体谐振器输出频率五个步骤,利用采集的谐振器两端信号数据经过三角函数运算,计算得到的结果就是相位差变化。无需引入外界高性能的频率源,设计简单方便。针对振荡器长期的频率变化和其谐振参数之间变化的相关性,通过晶体谐振器两端之间信号相位差的变化推导出其谐振参数的变化进而就推算出振荡器频率的变化,并且就其反馈调整和改善振荡器本身的频率变化,提高晶体振荡器的老化漂移指标。
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