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专利名称注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路
申请日2019-01-03
申请号/专利号CN201910005807.7
专利权人北京交通大学
申请人北京交通大学
发明人/设计人李虹;冯超;蒋艳锋;杨志昌;赵星冉
公告日2019-06-07
公告号CN109861679A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类

摘要

本发明公开了一种注入电流型SiCMOSFET有源驱动电路,包括:驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路,其中,检测电路,用于检测驱动推挽电路的驱动电压,以根据驱动电压判断SiCMOSFET是否进入栅极电流下降阶段;脉冲产生电路,用于根据驱动电压产生预设宽度的脉冲;放大输出电路,用于放大脉冲,并向SiCMOSFET的栅极注入电流。本发明实施例的有源驱动电路能够有效的抑制SiCMOSFET关断时漏源极电压的尖峰和振荡,在不牺牲SiC器件优势的前提下,改善因SiCMOSFET漏源电压尖峰和振荡带来成的可靠性问题和电磁干扰问题。
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